IXYS - IXTY12N06TTRL

KEY Part #: K6403153

[2456шт сток]


    номер части:
    IXTY12N06TTRL
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 60V 12A TO-252.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - IGBT - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS IXTY12N06TTRL electronic components. IXTY12N06TTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY12N06TTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTY12N06TTRL Атрибуты продукта

    номер части : IXTY12N06TTRL
    производитель : IXYS
    Описание : MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
    Серии : TrenchMV™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 256pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 33W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : TO-252
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в