Infineon Technologies - IPN60R1K0CEATMA1

KEY Part #: K6421032

IPN60R1K0CEATMA1 Цены (доллары США) [332106шт сток]

  • 1 pcs$0.11137
  • 3,000 pcs$0.09191

номер части:
IPN60R1K0CEATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
CONSUMER.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPN60R1K0CEATMA1 electronic components. IPN60R1K0CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R1K0CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R1K0CEATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPN60R1K0CEATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : CONSUMER
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 280pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT223
Пакет / Дело : SOT-223-3

Вы также можете быть заинтересованы в