Toshiba Semiconductor and Storage - RN1706JE(TE85L,F)

KEY Part #: K6528846

RN1706JE(TE85L,F) Цены (доллары США) [164072шт сток]

  • 1 pcs$0.22543

номер части:
RN1706JE(TE85L,F)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F) electronic components. RN1706JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1706JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1706JE(TE85L,F) Атрибуты продукта

номер части : RN1706JE(TE85L,F)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Серии : -
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип Транзистора : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
Частота - Переход : 250MHz
Мощность - Макс : 100mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-553
Комплект поставки устройства : ESV

Вы также можете быть заинтересованы в