IXYS - IXFH7N90Q

KEY Part #: K6416104

IXFH7N90Q Цены (доллары США) [12229шт сток]

  • 1 pcs$3.72526
  • 30 pcs$3.70673

номер части:
IXFH7N90Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH7N90Q electronic components. IXFH7N90Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH7N90Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N90Q Атрибуты продукта

номер части : IXFH7N90Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 180W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в