Diodes Incorporated - DMN2009LSS-13

KEY Part #: K6394117

DMN2009LSS-13 Цены (доллары США) [289449шт сток]

  • 1 pcs$0.12779
  • 2,500 pcs$0.11355

номер части:
DMN2009LSS-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2009LSS-13 electronic components. DMN2009LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2009LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2009LSS-13 Атрибуты продукта

номер части : DMN2009LSS-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 58.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2555pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в