Toshiba Semiconductor and Storage - TPW4R50ANH,L1Q

KEY Part #: K6416395

TPW4R50ANH,L1Q Цены (доллары США) [122345шт сток]

  • 1 pcs$0.31034
  • 5,000 pcs$0.30880

номер части:
TPW4R50ANH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q electronic components. TPW4R50ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW4R50ANH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPW4R50ANH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPW4R50ANH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 92A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5200pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 800mW (Ta), 142W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-DSOP Advance
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.