Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2C-E3/5BT

KEY Part #: K6457695

ES2C-E3/5BT Цены (доллары США) [636069шт сток]

  • 1 pcs$0.05815
  • 6,400 pcs$0.04834

номер части:
ES2C-E3/5BT
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 150V 20ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2C-E3/5BT electronic components. ES2C-E3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2C-E3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2C-E3/5BT Атрибуты продукта

номер части : ES2C-E3/5BT
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 900mV @ 2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 30ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM