Infineon Technologies - IPB180N04S302ATMA1

KEY Part #: K6418139

IPB180N04S302ATMA1 Цены (доллары США) [52792шт сток]

  • 1 pcs$0.74065
  • 1,000 pcs$0.70536

номер части:
IPB180N04S302ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1 electronic components. IPB180N04S302ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S302ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N04S302ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB180N04S302ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 14300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7-3
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в