Infineon Technologies - BSP320SH6433XTMA1

KEY Part #: K6421009

BSP320SH6433XTMA1 Цены (доллары США) [323412шт сток]

  • 1 pcs$0.11437
  • 4,000 pcs$0.09420

номер части:
BSP320SH6433XTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSP320SH6433XTMA1 electronic components. BSP320SH6433XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP320SH6433XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP320SH6433XTMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSP320SH6433XTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Серии : SIPMOS®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.9A (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.3nC @ 7V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 340pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.8W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в