Microsemi Corporation - APTGV50H60BT3G

KEY Part #: K6534598

APTGV50H60BT3G Цены (доллары США) [1721шт сток]

  • 1 pcs$25.29778
  • 50 pcs$25.17192

номер части:
APTGV50H60BT3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOD IGBT NPT 600V SP3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGV50H60BT3G electronic components. APTGV50H60BT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGV50H60BT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGV50H60BT3G Атрибуты продукта

номер части : APTGV50H60BT3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOD IGBT NPT 600V SP3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : NPT, Trench Field Stop
конфигурация : Boost Chopper, Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 65A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.2nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP3
Комплект поставки устройства : SP3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.