Susumu - PAT0510S-C-7DB-T10

KEY Part #: K7359489

PAT0510S-C-7DB-T10 Цены (доллары США) [2328720шт сток]

  • 1 pcs$0.01596
  • 10,000 pcs$0.01588
  • 30,000 pcs$0.01545
  • 50,000 pcs$0.01495

номер части:
PAT0510S-C-7DB-T10
производитель:
Susumu
Подробное описание:
RF ATTENUATOR 7DB 50OHM 0402.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: RFID транспондеры, метки, ИС контроллера РЧ-мощности, РЧ делители / сплиттеры, RFID, RF-доступ, ИС для мониторинга, RF Front End (LNA + PA), Аттенюаторы, Микросхемы и модули РФ and РЧ модуляторы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Susumu PAT0510S-C-7DB-T10 electronic components. PAT0510S-C-7DB-T10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PAT0510S-C-7DB-T10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PAT0510S-C-7DB-T10 Атрибуты продукта

номер части : PAT0510S-C-7DB-T10
производитель : Susumu
Описание : RF ATTENUATOR 7DB 50OHM 0402
Серии : -
Состояние детали : Active
Значение затухания : 7dB
Диапазон частот : 0Hz ~ 10GHz
Мощность (Вт) : 32mW
полное сопротивление : 50 Ohms
Пакет / Дело : 0402 (1005 Metric)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.