Vishay Semiconductor Diodes Division - RS07G-GS08

KEY Part #: K6455078

RS07G-GS08 Цены (доллары США) [833524шт сток]

  • 1 pcs$0.04683
  • 3,000 pcs$0.04659
  • 6,000 pcs$0.04377
  • 15,000 pcs$0.04095
  • 30,000 pcs$0.03765

номер части:
RS07G-GS08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GP 400V 500MA DO219AB. Rectifiers 400 Volt 0.7A 150ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS07G-GS08 electronic components. RS07G-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS07G-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS07G-GS08 Атрибуты продукта

номер части : RS07G-GS08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GP 400V 500MA DO219AB
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.15V @ 700mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-219AB
Комплект поставки устройства : DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM