ON Semiconductor - FDD8586

KEY Part #: K6410008

[85шт сток]


    номер части:
    FDD8586
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы специального назначения ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FDD8586 electronic components. FDD8586 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD8586, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD8586 Атрибуты продукта

    номер части : FDD8586
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    Серии : PowerTrench®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2480pF @ 10V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 77W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : TO-252AA
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.