IXYS - IXTH90P10P

KEY Part #: K6399894

IXTH90P10P Цены (доллары США) [10530шт сток]

  • 1 pcs$4.49955
  • 10 pcs$4.04827
  • 100 pcs$3.32843
  • 500 pcs$2.78870

номер части:
IXTH90P10P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH90P10P electronic components. IXTH90P10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH90P10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH90P10P Атрибуты продукта

номер части : IXTH90P10P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
Серии : PolarP™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 462W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.