Vishay Siliconix - IRFD010PBF

KEY Part #: K6411920

[13624шт сток]


    номер части:
    IRFD010PBF
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFD010PBF electronic components. IRFD010PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD010PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD010PBF Атрибуты продукта

    номер части : IRFD010PBF
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 50V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.7A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 860mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 250pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    Пакет / Дело : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRFR4615TRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.