Vishay Siliconix - SIA427ADJ-T1-GE3

KEY Part #: K6416948

SIA427ADJ-T1-GE3 Цены (доллары США) [431769шт сток]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

номер части:
SIA427ADJ-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIA427ADJ-T1-GE3 electronic components. SIA427ADJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA427ADJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA427ADJ-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIA427ADJ-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2300pF @ 4V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / Дело : PowerPAK® SC-70-6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.