Taiwan Semiconductor Corporation - TSM10NC60CF C0G

KEY Part #: K6396038

TSM10NC60CF C0G Цены (доллары США) [67281шт сток]

  • 1 pcs$0.58116

номер части:
TSM10NC60CF C0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G electronic components. TSM10NC60CF C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM10NC60CF C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM10NC60CF C0G Атрибуты продукта

номер части : TSM10NC60CF C0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1652pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 45W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ITO-220S
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в