Toshiba Semiconductor and Storage - TK28N65W,S1F

KEY Part #: K6397910

TK28N65W,S1F Цены (доллары США) [16378шт сток]

  • 1 pcs$2.76760
  • 30 pcs$2.22509
  • 120 pcs$2.02729
  • 510 pcs$1.64163
  • 1,020 pcs$1.38450

номер части:
TK28N65W,S1F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W,S1F electronic components. TK28N65W,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK28N65W,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK28N65W,S1F Атрибуты продукта

номер части : TK28N65W,S1F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 27.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 230W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.