IXYS - IXFN26N100P

KEY Part #: K6394816

IXFN26N100P Цены (доллары США) [2433шт сток]

  • 1 pcs$18.77645
  • 10 pcs$18.68304

номер части:
IXFN26N100P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN26N100P electronic components. IXFN26N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN26N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN26N100P Атрибуты продукта

номер части : IXFN26N100P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 11900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 595W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в