Microsemi Corporation - APT11N80BC3G

KEY Part #: K6395057

APT11N80BC3G Цены (доллары США) [15456шт сток]

  • 1 pcs$2.93506
  • 10 pcs$2.62084
  • 100 pcs$2.14894
  • 500 pcs$1.74012
  • 1,000 pcs$1.46758

номер части:
APT11N80BC3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT11N80BC3G electronic components. APT11N80BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT11N80BC3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT11N80BC3G Атрибуты продукта

номер части : APT11N80BC3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1585pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 156W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]
Пакет / Дело : TO-247-3