IXYS - IXTY1N80P

KEY Part #: K6395103

IXTY1N80P Цены (доллары США) [59377шт сток]

  • 1 pcs$0.72801
  • 70 pcs$0.72439

номер части:
IXTY1N80P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTY1N80P electronic components. IXTY1N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1N80P Атрибуты продукта

номер части : IXTY1N80P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 250pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 42W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63