IXYS - IXTY08N100P

KEY Part #: K6395186

IXTY08N100P Цены (доллары США) [44010шт сток]

  • 1 pcs$1.02682
  • 70 pcs$1.02172

номер части:
IXTY08N100P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTY08N100P electronic components. IXTY08N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY08N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY08N100P Атрибуты продукта

номер части : IXTY08N100P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 800mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 240pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 42W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.