IXYS - IXFH18N60X

KEY Part #: K6394918

IXFH18N60X Цены (доллары США) [15840шт сток]

  • 1 pcs$2.87639
  • 50 pcs$2.86208

номер части:
IXFH18N60X
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH18N60X electronic components. IXFH18N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH18N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N60X Атрибуты продукта

номер части : IXFH18N60X
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1440pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 320W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3