1N5408G-T Цены (доллары США) [714995шт сток]
- 1 pcs$0.05173
- 1,200 pcs$0.04699
- 2,400 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 12,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- номер части:
- 1N5408G-T
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 1000V
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5408G-T electronic components. 1N5408G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5408G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5408G-T Атрибуты продукта
номер части :
1N5408G-T
производитель :
Diodes Incorporated
Описание :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 3A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
2µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-201AD
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18