Toshiba Semiconductor and Storage - TPN3R704PL,L1Q

KEY Part #: K6417812

TPN3R704PL,L1Q Цены (доллары США) [409821шт сток]

  • 1 pcs$0.09621
  • 5,000 pcs$0.09573

номер части:
TPN3R704PL,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL,L1Q electronic components. TPN3R704PL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN3R704PL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN3R704PL,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPN3R704PL,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Серии : U-MOSIX-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 0.2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 630mW (Ta), 86W (Tc)
Рабочая Температура : 175°C
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в