Infineon Technologies - IPL60R105P7AUMA1

KEY Part #: K6417530

IPL60R105P7AUMA1 Цены (доллары США) [33949шт сток]

  • 1 pcs$1.21399

номер части:
IPL60R105P7AUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 4VSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1 electronic components. IPL60R105P7AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL60R105P7AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R105P7AUMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPL60R105P7AUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 4VSON
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 530µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1952pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 137W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-VSON-4
Пакет / Дело : 4-PowerTSFN

Вы также можете быть заинтересованы в