Vishay Siliconix - SIHA20N50E-E3

KEY Part #: K6396581

SIHA20N50E-E3 Цены (доллары США) [28864шт сток]

  • 1 pcs$1.42787
  • 10 pcs$1.28949
  • 100 pcs$0.98308
  • 500 pcs$0.76460
  • 1,000 pcs$0.63353

номер части:
SIHA20N50E-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA20N50E-E3 electronic components. SIHA20N50E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA20N50E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA20N50E-E3 Атрибуты продукта

номер части : SIHA20N50E-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 19A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 184 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1640pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 34W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.