Infineon Technologies - IPD80N04S306ATMA1

KEY Part #: K6420157

IPD80N04S306ATMA1 Цены (доллары США) [165065шт сток]

  • 1 pcs$0.22408
  • 2,500 pcs$0.21342

номер части:
IPD80N04S306ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1 electronic components. IPD80N04S306ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80N04S306ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80N04S306ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD80N04S306ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 52µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3250pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.

  • TK7P50D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3.