Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF

KEY Part #: K6421598

SSM6K217FE,LF Цены (доллары США) [944660шт сток]

  • 1 pcs$0.17402
  • 10 pcs$0.13724
  • 100 pcs$0.09409
  • 500 pcs$0.06453
  • 1,000 pcs$0.04839

номер части:
SSM6K217FE,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF electronic components. SSM6K217FE,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6K217FE,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K217FE,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM6K217FE,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Серии : U-MOSVII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.1nC @ 4.2V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 130pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : ES6
Пакет / Дело : SOT-563, SOT-666

Вы также можете быть заинтересованы в