Taiwan Semiconductor Corporation - ES1JL R3G

KEY Part #: K6452645

ES1JL R3G Цены (доллары США) [820434шт сток]

  • 1 pcs$0.04508

номер части:
ES1JL R3G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL R3G electronic components. ES1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1JL R3G Атрибуты продукта

номер части : ES1JL R3G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-219AB
Комплект поставки устройства : Sub SMA
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • RHRD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast