Toshiba Semiconductor and Storage - RN1309,LF

KEY Part #: K6528613

RN1309,LF Цены (доллары США) [2686624шт сток]

  • 1 pcs$0.01377

номер части:
RN1309,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LF electronic components. RN1309,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1309,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1309,LF Атрибуты продукта

номер части : RN1309,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 47 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 22 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : 250MHz
Мощность - Макс : 100mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323
Комплект поставки устройства : USM

Вы также можете быть заинтересованы в