Toshiba Semiconductor and Storage - RN1117(T5L,F,T)

KEY Part #: K6527869

[2688шт сток]


    номер части:
    RN1117(T5L,F,T)
    производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Подробное описание:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T) electronic components. RN1117(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1117(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1117(T5L,F,T) Атрибуты продукта

    номер части : RN1117(T5L,F,T)
    производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
    Описание : TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
    Серии : -
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
    Резистор - База (R1) : 10 kOhms
    Резистор - база эмиттера (R2) : 4.7 kOhms
    Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
    Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
    Частота - Переход : 250MHz
    Мощность - Макс : 100mW
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : SC-75, SOT-416
    Комплект поставки устройства : SSM

    Вы также можете быть заинтересованы в