IDFW40E65D1EXKSA1 Цены (доллары США) [15691шт сток]
- 1 pcs$2.62657
- номер части:
- IDFW40E65D1EXKSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- IGBT 650V 40A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching HOME APPLIANCES 14
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies IDFW40E65D1EXKSA1 electronic components. IDFW40E65D1EXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDFW40E65D1EXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDFW40E65D1EXKSA1 Атрибуты продукта
номер части :
IDFW40E65D1EXKSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT 650V 40A TO247-3
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
42A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2.1V @ 40A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
76ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
40µA @ 650V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-247-3
Комплект поставки устройства :
PG-TO247-3-AI
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
-
VS-E4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
STTH3010PI
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode
Горячие части
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A