Keystone Electronics - 773

KEY Part #: K7359532

773 Цены (доллары США) [103911шт сток]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.27843
  • 50 pcs$0.25122
  • 100 pcs$0.24031
  • 250 pcs$0.21847
  • 1,000 pcs$0.19194
  • 2,500 pcs$0.16386
  • 5,000 pcs$0.15293

номер части:
773
производитель:
Keystone Electronics
Подробное описание:
ANTI-VIBRATE GROMMET. Screws & Fasteners GROMMET .291 BLK ANTI VIBR M3 RND
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: аксессуары, Застегиваемые Застежки, Зажимы, вешалки, крючки, Шарниры, пена, Knobs, Подшипники and Винты, Болты ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Keystone Electronics 773 electronic components. 773 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 773, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

773 Атрибуты продукта

номер части : 773
производитель : Keystone Electronics
Описание : ANTI-VIBRATE GROMMET
Серии : -
Состояние детали : Active
Размер винта : M3
Диаметр головы : 0.551" (14.00mm)
Диаметр монтажного отверстия : 0.375" (9.53mm) 3/8"
Высота головы : -
материал : Rubber
цвет : Black

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.