Renesas Electronics America - RJH60F6DPK-00#T0

KEY Part #: K6421744

RJH60F6DPK-00#T0 Цены (доллары США) [12792шт сток]

  • 1 pcs$3.22152
  • 10 pcs$2.87689
  • 25 pcs$2.58938

номер части:
RJH60F6DPK-00#T0
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJH60F6DPK-00#T0 electronic components. RJH60F6DPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJH60F6DPK-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJH60F6DPK-00#T0 Атрибуты продукта

номер части : RJH60F6DPK-00#T0
производитель : Renesas Electronics America
Описание : IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 85A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.75V @ 15V, 45A
Мощность - Макс : 297.6W
Энергия переключения : -
Тип ввода : Standard
Gate Charge : -
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 58ns/131ns
Условия испытаний : 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 140ns
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3
Комплект поставки устройства : TO-3P

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.