IXYS - IXFA22N60P3

KEY Part #: K6394925

IXFA22N60P3 Цены (доллары США) [27344шт сток]

  • 1 pcs$1.50719

номер части:
IXFA22N60P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFA22N60P3 electronic components. IXFA22N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA22N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA22N60P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFA22N60P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263AA
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB