Diodes Incorporated - DMPH4025SFVWQ-7

KEY Part #: K6393880

DMPH4025SFVWQ-7 Цены (доллары США) [231556шт сток]

  • 1 pcs$0.15973

номер части:
DMPH4025SFVWQ-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ-7 electronic components. DMPH4025SFVWQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMPH4025SFVWQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMPH4025SFVWQ-7 Атрибуты продукта

номер части : DMPH4025SFVWQ-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1918pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount, Wettable Flank
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в