ON Semiconductor - FDD5680

KEY Part #: K6393868

FDD5680 Цены (доллары США) [167618шт сток]

  • 1 pcs$0.22177
  • 2,500 pcs$0.22067

номер части:
FDD5680
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD5680 electronic components. FDD5680 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5680, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD5680 Атрибуты продукта

номер части : FDD5680
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1835pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в