Microsemi Corporation - APT40GP90JDQ2

KEY Part #: K6534670

APT40GP90JDQ2 Цены (доллары США) [2635шт сток]

  • 1 pcs$16.43256
  • 13 pcs$16.43254

номер части:
APT40GP90JDQ2
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 900V 64A 284W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT40GP90JDQ2 electronic components. APT40GP90JDQ2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT40GP90JDQ2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40GP90JDQ2 Атрибуты продукта

номер части : APT40GP90JDQ2
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 900V 64A 284W SOT227
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : PT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 900V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 64A
Мощность - Макс : 284W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 350µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.