GeneSiC Semiconductor - S12DR

KEY Part #: K6425448

S12DR Цены (доллары США) [22785шт сток]

  • 1 pcs$2.03169
  • 100 pcs$2.02158

номер части:
S12DR
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4. Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S12DR electronic components. S12DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12DR Атрибуты продукта

номер части : S12DR
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard, Reverse Polarity
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 12A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Chassis, Stud Mount
Пакет / Дело : DO-203AA, DO-4, Stud
Комплект поставки устройства : DO-4
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T