Vishay Siliconix - SQ2364EES-T1_GE3

KEY Part #: K6421117

SQ2364EES-T1_GE3 Цены (доллары США) [353190шт сток]

  • 1 pcs$0.10472

номер части:
SQ2364EES-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 60V SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3 electronic components. SQ2364EES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2364EES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2364EES-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQ2364EES-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 330pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в