Toshiba Semiconductor and Storage - TK14E65W,S1X

KEY Part #: K6392790

TK14E65W,S1X Цены (доллары США) [30561шт сток]

  • 1 pcs$1.48516
  • 10 pcs$1.34105
  • 100 pcs$1.02238
  • 500 pcs$0.79518
  • 1,000 pcs$0.65887

номер части:
TK14E65W,S1X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X electronic components. TK14E65W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK14E65W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14E65W,S1X Атрибуты продукта

номер части : TK14E65W,S1X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1300pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 130W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в