Toshiba Semiconductor and Storage - TK7E80W,S1X

KEY Part #: K6398376

TK7E80W,S1X Цены (доллары США) [32472шт сток]

  • 1 pcs$1.39702
  • 50 pcs$1.06933
  • 100 pcs$0.96238
  • 500 pcs$0.74851
  • 1,000 pcs$0.62019

номер части:
TK7E80W,S1X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X electronic components. TK7E80W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7E80W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7E80W,S1X Атрибуты продукта

номер части : TK7E80W,S1X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 700pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFIB5N65APBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.