Infineon Technologies - FP75R12KT4B11BOSA1

KEY Part #: K6533570

FP75R12KT4B11BOSA1 Цены (доллары США) [619шт сток]

  • 1 pcs$74.99268

номер части:
FP75R12KT4B11BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE 1200V 75A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FP75R12KT4B11BOSA1 electronic components. FP75R12KT4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP75R12KT4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP75R12KT4B11BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FP75R12KT4B11BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE 1200V 75A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Мощность - Макс : 385W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.