Taiwan Semiconductor Corporation - ES3FBHR5G

KEY Part #: K6439618

ES3FBHR5G Цены (доллары США) [545537шт сток]

  • 1 pcs$0.06780

номер части:
ES3FBHR5G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA. Rectifiers 35ns 3A 300V Sp Fst Recov Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3FBHR5G electronic components. ES3FBHR5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3FBHR5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3FBHR5G Атрибуты продукта

номер части : ES3FBHR5G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 300V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.13V @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 300V
Емкость @ Vr, F : 41pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BAT85S-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt 5.0 Amp IFSM

  • BAV17-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA

  • BAS34-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM

  • BAT43-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM

  • BAV18-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA