Diodes Incorporated - DMTH10H010LCTB-13

KEY Part #: K6393942

DMTH10H010LCTB-13 Цены (доллары США) [96513шт сток]

  • 1 pcs$0.40514
  • 800 pcs$0.34369

номер части:
DMTH10H010LCTB-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB-13 electronic components. DMTH10H010LCTB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH10H010LCTB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H010LCTB-13 Атрибуты продукта

номер части : DMTH10H010LCTB-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 108A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2592pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в