производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 500mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
150ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
Sub SMA
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C