Microsemi Corporation - APTGTQ100DDA65T3G

KEY Part #: K6533024

APTGTQ100DDA65T3G Цены (доллары США) [1877шт сток]

  • 1 pcs$23.06400

номер части:
APTGTQ100DDA65T3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MODULE - IGBT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGTQ100DDA65T3G electronic components. APTGTQ100DDA65T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGTQ100DDA65T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ100DDA65T3G Атрибуты продукта

номер части : APTGTQ100DDA65T3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MODULE - IGBT
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Dual Boost Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : SP3F

Вы также можете быть заинтересованы в