RGP10M-E3/73 Цены (доллары США) [980204шт сток]
- 1 pcs$0.03773
- 3,000 pcs$0.03513
- 6,000 pcs$0.03318
- 15,000 pcs$0.03025
- 30,000 pcs$0.02830
- 75,000 pcs$0.02602
- номер части:
- RGP10M-E3/73
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 1000 Volt 500ns
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10M-E3/73 electronic components. RGP10M-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10M-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGP10M-E3/73 Атрибуты продукта
номер части :
RGP10M-E3/73
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Серии :
SUPERECTIFIER®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
500ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18