TRS12E65C,S1Q Цены (доллары США) [7633шт сток]
- 1 pcs$5.66740
- 10 pcs$5.10154
- номер части:
- TRS12E65C,S1Q
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q electronic components. TRS12E65C,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TRS12E65C,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TRS12E65C,S1Q Атрибуты продукта
номер части :
TRS12E65C,S1Q
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
12A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.7V @ 12A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
90µA @ 170V
Емкость @ Vr, F :
65pF @ 650V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
TO-220-2L
Рабочая температура - соединение :
175°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
IDK09G65C5XTMA2
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
-
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
-
-
Горячие части
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF